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1901
ナノ・材料
掲載日:2017/06/23

ノーマリーオフ動作ダイヤモンド電力素子及びこれを用いたインバータ

川原田 洋 教授 (理工学術院 基幹理工学部)
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1843
ナノ・材料
掲載日:2017/03/06
特開2016-178342

トランジスタの製造方法及びセンサ素子

川原田 洋 教授 (理工学術院 基幹理工学部)
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1604
ナノ・材料
掲載日:2017/03/06
特開2016-141604

ナノカーボン基材の製造方法およびナノカーボン基材

川原田 洋 教授 (理工学術院 基幹理工学部)
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1782
ナノ・材料
掲載日:2016/04/08
特開2016-157932

電力素子

川原田 洋 教授 (理工学術院 基幹理工学部)
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2016-0203-08
ナノ・材料
掲載日:2016/02/03

ナノダイヤモンドp型透明電極

川原田 洋 教授 (理工学術院 基幹理工学部)
共同研究者:古閑 三靖
◆高濃度ボロンをドープしても、高い透明性および優れた電気特性を有するナノダイヤモンドp型透明電極体の製造方法◆アンドープのダイヤモンド層上に高濃度ドープ層を重ねた2層構造を形成して実現
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2016-0203-07
ナノ・材料
掲載日:2016/02/03

ダイヤモンド基板上の垂直配向グラファイト層

川原田 洋 教授 (理工学術院 基幹理工学部)
共同研究者:稲葉 優文 助手
◆ダイヤモンド(100)表面に高温イオン注入する◆注入後の熱処理(1700℃、2時間)により、格子間の炭素原子が表面に拡散◆垂直配向グラファイト層が形成
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2016-0203-06
ナノ・材料
掲載日:2016/02/03

多結晶ダイヤモンド上のパワーMOSFET(ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法)

川原田 洋 教授 (理工学術院 基幹理工学部)
共同研究者:モフド シャムスル ナシリク ビン サムソル バハリン   、稲葉 優文 助手 、北林 祐哉 、柴田 将暢
◆多結晶ダイヤモンド(黒い)上にMOSFETを作製 ◆顕著な変調・良好なデバイス特性◆逆阻止耐圧1800Vを達成
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1736
ものづくり技術
掲載日:2015/11/03
2017-45897

多結晶ダイヤモンド上のパワーMOSFET(ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法)

川原田 洋 教授 (理工学術院 基幹理工学部)
◆多結晶ダイヤモンド(黒い)上にMOSFETを作製 ◆顕著な変調・良好なデバイス特性◆逆阻止耐圧1800Vを達成
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2014-0122-05
ナノ・材料
掲載日:2014/01/23

ダイヤモンド半導体を用いた高信頼性電力素子

川原田 洋 教授 (理工学術院 基幹理工学部)
・550℃の大気中でも導電性が確保され、絶縁性が向上した保護膜の製造方法・表面を水素化したダイヤモンド基板上に2層の保護膜を形成することで実現
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1069
ライフサイエンス
掲載日:2013/12/25
第5366215号

電界効果トランジスタ、その製造方法及びバイオセンサ

川原田 洋 教授 (理工学術院 基幹理工学部)
電解質溶液中で動作する電界効果トランジスタ型のセンサにおいて、ソース・ドレイン電極をTiで形成し、かつ電解液に短絡しないよう前記Ti電極にTiO2膜を形成する。
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