多結晶ダイヤモンド上のパワーMOSFET（ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法）

2016-0203-06

◆パワーデバイス材料には大面積ウェハーが必要
◆ダイヤモンドはパワーデバイスに好適な材料
◆多結晶ならダイヤモンドでも容易に大面積化可能

◆多結晶ダイヤモンド（黒い）上にMOSFETを作製
◆顕著な変調・良好なデバイス特性
◆逆阻止耐圧1800Vを達成

◆高耐圧化が容易
◆低コスト
◆既存の生産ラインを使用可

◆耐高温・高耐圧用途のパワーデバイス
◆極限環境に対応

Fig. 1. Diagram of black polycrystalline diamond field effect transistor
Fig. 2. FESEM images revealing the polycrystalline nature of the black polycrystalline diamond
Fig.3. - Fig. 5

モフドシャムスルナシリクビンサムソルバハリン　 (理工学術院　電子物理システム学科) , 稲葉優文非常勤講師 (当時) , 北林祐哉 (理工学術院　電子物理システム学科) , 柴田将暢 (理工学術院　電子物理システム学科)

掲載日: 2016/02/03