多結晶ダイヤモンド上のパワーMOSFET(ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法)
2016-0203-06
- 研究者名
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研究者情報 川原田 洋 教授
- 所属
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理工学術院 基幹理工学部
- 専門分野
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電子・電気材料工学
- キーワード
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背景
◆パワーデバイス材料には大面積ウェハーが必要
◆ダイヤモンドはパワーデバイスに好適な材料
◆多結晶ならダイヤモンドでも容易に大面積化可能
◆ダイヤモンドはパワーデバイスに好適な材料
◆多結晶ならダイヤモンドでも容易に大面積化可能
シーズ概要
◆多結晶ダイヤモンド(黒い)上にMOSFETを作製
◆顕著な変調・良好なデバイス特性
◆逆阻止耐圧1800Vを達成
◆顕著な変調・良好なデバイス特性
◆逆阻止耐圧1800Vを達成
優位性
◆高耐圧化が容易
◆低コスト
◆既存の生産ラインを使用可
◆低コスト
◆既存の生産ラインを使用可
応用・展開
◆耐高温・高耐圧用途のパワーデバイス
◆極限環境に対応
◆極限環境に対応
資料
共同研究者
モフド シャムスル ナシリク ビン サムソル バハリン (理工学術院 電子物理システム学科) , 稲葉 優文 非常勤講師 (当時) , 北林 祐哉 (理工学術院 電子物理システム学科) , 柴田 将暢 (理工学術院 電子物理システム学科)
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掲載日:
2016/02/03