ダイヤモンド基板上の垂直配向グラファイト層

2016-0203-07
研究者名
所属
専門分野
電子・電気材料工学
キーワード

背景

◆パワーデバイスに大電流を流す電極が必要
◆グラファイトは面水平方向に高い電気伝導性・熱伝導性をもつ
◆グラファイトを高密度に基板上に配向できれば電極として使える

シーズ概要

◆ダイヤモンド(100)表面に高温イオン注入する
◆注入後の熱処理(1700℃、2時間)により、格子間の炭素原子が表面に拡散
◆垂直配向グラファイト層が形成

優位性

◆ダイヤモンドのイオン注入時に同時に形成
◆垂直方向に伝導性が高い
◆ダイヤモンドときれいな接合界面を形成→コンタクト材料応用

応用・展開

◆ ダイヤモンドイオン注入領域へのコンタクト電極
◆ 高密度に触媒担持可能な炭素電極

資料

  • 垂直配向グラファイトの模式図
  • 垂直配向グラファイトの断面TEM像
  • 直配向グラファイトをコンタクトに用いたMOSFETの構造例

共同研究者

稲葉 優文 助手 (当時)

掲載日: 2016/02/03