ダイヤモンド基板上の垂直配向グラファイト層

2016-0203-07
研究者名
研究者情報 川原田 洋 教授
所属
理工学術院 基幹理工学部
専門分野
電子・電気材料工学
キーワード

背景

◆パワーデバイスに大電流を流す電極が必要
◆グラファイトは面水平方向に高い電気伝導性・熱伝導性をもつ
◆グラファイトを高密度に基板上に配向できれば電極として使える

シーズ概要

◆ダイヤモンド(100)表面に高温イオン注入する
◆注入後の熱処理（1700℃、2時間）により、格子間の炭素原子が表面に拡散
◆垂直配向グラファイト層が形成

優位性

◆ダイヤモンドのイオン注入時に同時に形成
◆垂直方向に伝導性が高い
◆ダイヤモンドときれいな接合界面を形成→コンタクト材料応用

応用・展開

◆ ダイヤモンドイオン注入領域へのコンタクト電極
◆ 高密度に触媒担持可能な炭素電極

資料

  • 垂直配向グラファイトの模式図
  • 垂直配向グラファイトの断面TEM像
  • 直配向グラファイトをコンタクトに用いたMOSFETの構造例

共同研究者

稲葉 優文 非常勤講師 (当時)

他のシーズ

  • ダイヤモンド半導体を用いた高信頼性電力素子
  • ナノダイヤモンドp型透明電極
  • 多結晶ダイヤモンド上のパワーMOSFET（ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法）
  • 電気による新たな海中無線通信の開発
  • 海水のイオン導電性を利用した海中無線通信 ～海水管，漁業用いけす内のワイヤレスリアルタイムモニタリングが可能に～
  • 多結晶ダイヤモンド上のパワーMOSFET（ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法）
  • 電力素子
  • トランジスタの製造方法及びセンサ素子
  • ノーマリオフ動作ダイヤモンド電力素子及びこれを用いたインバータ
  • ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法
掲載日: 2016/02/03