ダイヤモンド半導体を用いた高信頼性電力素子

2014-0122-05
研究者名
所属
専門分野
電子・電気材料工学
キーワード

シーズ概要

・550℃の大気中でも導電性が確保され、絶縁性が向上した保護膜の製造方法
・表面を水素化したダイヤモンド基板上に2層の保護膜を形成することで実現

背景

・優れた物性をもつダイヤモンド半導体のパワーデバイスのニーズは極めて高い
・しかし、ダイヤモンド半導体の表面は外部環境の影響を受けやすく、動作が不安定

優位性

・ダイヤモンド電界効果トランジスタ(FET)に必要なゲート絶縁性・耐環境性を原子層堆積(ALD)Al2O3技術にて達成
・高電圧、高周波電力素子実用化へ

応用・展開

・自動車などの高温度雰囲気下での半導体素子
・家電、自動車、工場などの電源用途の半導体素子

提供目的

受託研究、共同研究、技術相談

資料

  • 保護膜の電流電圧特性
  • 保護膜の成膜(450℃)と除去によるシート抵抗変化
掲載日: 2014/01/23