ダイヤモンド半導体を用いた高信頼性電力素子
シーズ概要
・550℃の大気中でも導電性が確保され、絶縁性が向上した保護膜の製造方法
・表面を水素化したダイヤモンド基板上に2層の保護膜を形成することで実現
背景
・優れた物性をもつダイヤモンド半導体のパワーデバイスのニーズは極めて高い
・しかし、ダイヤモンド半導体の表面は外部環境の影響を受けやすく、動作が不安定
優位性
・ダイヤモンド電界効果トランジスタ(FET)に必要なゲート絶縁性・耐環境性を原子層堆積(ALD)Al2O3技術にて達成
・高電圧、高周波電力素子実用化へ
応用・展開
・自動車などの高温度雰囲気下での半導体素子
・家電、自動車、工場などの電源用途の半導体素子
提供目的
受託研究、共同研究、技術相談
他のシーズ
掲載日:
2014/01/23