ナノダイヤモンドp型透明電極

2016-0203-08

◆p型透明電極体の開発はデバイスの高効率化には不可欠だが、安定して得ることが困難
◆現在、透明電極として使用されているITOはn型半導体であり、またITOの主成分のInの資源問題と価格高騰や安定供給懸念という問題がある

◆高濃度ボロンをドープしても、高い透明性および優れた電気特性を有するナノダイヤモンドp型透明電極体の製造方法
◆アンドープのダイヤモンド層上に高濃度ドープ層を重ねた2層構造を形成して実現

◆高濃度のボロンを導入したナノダイヤモンドp型透明電極において、透過率90%以上、p型伝導でのシート抵抗300Ω/sq以下を同時に達成
◆ナノダイヤモンドp型透明電極では高い移動度２-４ｃｍ２V-1s-1 を有する
◆透明電極ITOの代替技術

◆液晶パネル・プラズマディスプレイ・有機ELパネルなどのフラットパネル、太陽電池など

古閑三靖 (理工学術院　先進理工学研究科)

掲載日: 2016/02/03