ナノダイヤモンドp型透明電極

2016-0203-08
研究者名
研究者情報 川原田 洋 教授 (当時)
所属
理工学術院 基幹理工学部
専門分野
電子・電気材料工学
キーワード

背景

◆p型透明電極体の開発はデバイスの高効率化には不可欠だが、安定して得ることが困難
◆現在、透明電極として使用されているITOはn型半導体であり、またITOの主成分のInの資源問題と価格高騰や安定供給懸念という問題がある

 


シーズ概要

◆高濃度ボロンをドープしても、高い透明性および優れた電気特性を有するナノダイヤモンドp型透明電極体の製造方法
◆アンドープのダイヤモンド層上に高濃度ドープ層を重ねた2層構造を形成して実現

優位性

◆高濃度のボロンを導入したナノダイヤモンドp型透明電極において、透過率90%以上、p型伝導でのシート抵抗300Ω/sq以下を同時に達成
◆ナノダイヤモンドp型透明電極では高い移動度 ２-４ｃｍ２V-1s-1 を有する
◆透明電極ITOの代替技術

応用・展開

◆液晶パネル・プラズマディスプレイ・有機ELパネルなどのフラットパネル、太陽電池など

資料

  • 作製プロセス
  • ダイヤモンド電極の利点
  • p型透明電極の必要性

共同研究者

古閑 三靖 (理工学術院　先進理工学研究科)

他のシーズ

  • ダイヤモンド半導体を用いた高信頼性電力素子
  • ダイヤモンド基板上の垂直配向グラファイト層
  • 多結晶ダイヤモンド上のパワーMOSFET（ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法）
  • 電気による新たな海中無線通信の開発
  • 海水のイオン導電性を利用した海中無線通信 ～海水管，漁業用いけす内のワイヤレスリアルタイムモニタリングが可能に～
  • 電力素子
  • トランジスタの製造方法及びセンサ素子
  • ノーマリオフ動作ダイヤモンド電力素子及びこれを用いたインバータ
  • ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法
掲載日: 2016/02/03