多結晶ダイヤモンド上のパワーMOSFET(ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法)

2016-0203-06
研究者名
所属
専門分野
電子・電気材料工学
キーワード

背景

◆パワーデバイス材料には大面積ウェハーが必要
◆ダイヤモンドはパワーデバイスに好適な材料
◆多結晶ならダイヤモンドでも容易に大面積化可能

シーズ概要

◆多結晶ダイヤモンド(黒い)上にMOSFETを作製
◆顕著な変調・良好なデバイス特性
◆逆阻止耐圧1800Vを達成

優位性

◆高耐圧化が容易
◆低コスト
◆既存の生産ラインを使用可

応用・展開

◆耐高温・高耐圧用途のパワーデバイス
◆極限環境に対応

資料

  • Fig. 1. Diagram of black polycrystalline diamond field effect transistor
  • Fig. 2. FESEM images revealing the polycrystalline nature of the black polycrystalline diamond
  • Fig.3. - Fig. 5

共同研究者

モフド シャムスル ナシリク ビン サムソル バハリン   (理工学術院 電子物理システム学科) , 稲葉 優文 助手 (当時) , 北林 祐哉 (理工学術院 電子物理システム学科) , 柴田 将暢 (理工学術院 電子物理システム学科)

掲載日: 2016/02/03