ナノインプリント技術を用いた高品質GaNテンプレート基板

2014-0122-06

・ナノインプリント技術によるナノサイズのマスクパターン転写技術

・ドライエッチング技術によるELOに適したマスクパターン形成技術

・ＨＶＰＥ技術によるGaN結晶成長技術（古河機械金属（株））

・光学測定による結晶性／残留歪評価技術（金沢工業大学）

・高出力白色ＬＥＤ市場の拡大

・蛍光灯に代替できる安価で発光効率が高いInGaN系白色ＬＥＤを実現するために、安価で結晶性に優れた高品質ＧａＮ基板の開発が急務であること

・ナノインプリント技術を用いて、マスク開口部の幅をナノメーターレベルに小さくすることで転位を削減

・結晶性に優れたGaNテンプレート基板を提供

・高輝度白色LED用基板（例　固体照明、自動車ヘッドランプ、液晶バックライト等）

・電子デバイス用基板（例　インバーター、HEV,EV用パワートランジスタ）

本開発はNEDO助成事業として古河機械金属（株）、早稲田大学、金沢工業大学の共同で実施（H23-H25)

受託研究、共同研究、技術相談

庄子習一教授 (理工学術院基幹理工学部電子光システム学科) (当時)

掲載日: 2014/01/31