ナノインプリント技術を用いた高品質GaNテンプレート基板
シーズ概要
・ナノインプリント技術によるナノサイズのマスクパターン転写技術
・ドライエッチング技術によるELOに適したマスクパターン形成技術
・HVPE技術によるGaN結晶成長技術(古河機械金属(株))
・光学測定による結晶性/残留歪評価技術(金沢工業大学)
背景
・高出力白色LED市場の拡大
・蛍光灯に代替できる安価で発光効率が高いInGaN系白色LEDを実現するために、安価で結晶性に優れた高品質GaN基板の開発が急務であること
優位性
・ナノインプリント技術を用いて、マスク開口部の幅をナノメーターレベルに小さくすることで転位を削減
・結晶性に優れたGaNテンプレート基板を提供
応用・展開
・高輝度白色LED用基板(例 固体照明、自動車ヘッドランプ、液晶バックライト等)
・電子デバイス用基板(例 インバーター、HEV,EV用パワートランジスタ)
備考
本開発はNEDO助成事業として古河機械金属(株)、早稲田大学、金沢工業大学の共同で実施(H23-H25)
提供目的
受託研究、共同研究、技術相談
他のシーズ
掲載日:
2014/01/31