ナノインプリント技術を用いた高品質GaNテンプレート基板

2014-0122-06
研究者名
研究者情報 水野 潤 客員上級研究員
所属
専門分野
電子デバイス・電子機器,ナノバイオサイエンス,知能機械学・機械システム,電子・電気材料工学
キーワード

シーズ概要

・ナノインプリント技術によるナノサイズのマスクパターン転写技術
・ドライエッチング技術によるELOに適したマスクパターン形成技術
・HVPE技術によるGaN結晶成長技術(古河機械金属(株))
・光学測定による結晶性/残留歪評価技術(金沢工業大学)

背景

・高出力白色LED市場の拡大
・蛍光灯に代替できる安価で発光効率が高いInGaN系白色LEDを実現するために、安価で結晶性に優れた高品質GaN基板の開発が急務であること

優位性

・ナノインプリント技術を用いて、マスク開口部の幅をナノメーターレベルに小さくすることで転位を削減
・結晶性に優れたGaNテンプレート基板を提供

応用・展開

・高輝度白色LED用基板(例 固体照明、自動車ヘッドランプ、液晶バックライト等)
・電子デバイス用基板(例 インバーター、HEV,EV用パワートランジスタ)

備考

本開発はNEDO助成事業として古河機械金属(株)、早稲田大学、金沢工業大学の共同で実施(H23-H25)

提供目的

受託研究、共同研究、技術相談

資料

共同研究者

庄子 習一 教授 (理工学術院 基幹理工学部 電子光システム学科)

他のシーズ

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掲載日: 2014/01/31