ナノインプリント技術を用いた高品質GaNテンプレート基板
2014-0122-06
- 研究者名
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研究者情報 水野 潤 客員上級研究員 (当時)
- 所属
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- 専門分野
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電子デバイス・電子機器,ナノバイオサイエンス,知能機械学・機械システム,電子・電気材料工学
- キーワード
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シーズ概要
・ナノインプリント技術によるナノサイズのマスクパターン転写技術
・ドライエッチング技術によるELOに適したマスクパターン形成技術
・ＨＶＰＥ技術によるGaN結晶成長技術（古河機械金属（株））
・光学測定による結晶性／残留歪評価技術（金沢工業大学）
背景
・高出力白色ＬＥＤ市場の拡大
・蛍光灯に代替できる安価で発光効率が高いInGaN系白色ＬＥＤを実現するために、安価で結晶性に優れた高品質ＧａＮ基板の開発が急務であること
優位性
・ナノインプリント技術を用いて、マスク開口部の幅をナノメーターレベルに小さくすることで転位を削減
・結晶性に優れたGaNテンプレート基板を提供
応用・展開
・高輝度白色LED用基板（例 固体照明、自動車ヘッドランプ、液晶バックライト等）
・電子デバイス用基板（例 インバーター、HEV,EV用パワートランジスタ）
備考
本開発はNEDO助成事業として古河機械金属（株）、早稲田大学、金沢工業大学の共同で実施（H23-H25)
提供目的
受託研究、共同研究、技術相談
共同研究者
庄子 習一 教授 (理工学術院 基幹理工学部 電子光システム学科) (当時)
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掲載日:
2014/01/31