2015-0303-03
ナノ・材料
掲載日：2015/03/03
新しいワイドギャップ半導体・・・酸化ガリウム単結晶
一ノ瀬 昇 参与 (理工学術院 （当時）) (当時)
共同研究者：島村 清史 客員教授 (当時)、ガルシア ビジョラ (当時)
・新しいワイドギャップ半導体β-Ga2O3の提案と実証・大気圧で融液成長ができる － Siなど従来半導体と同じ育成の容易さ － 低コスト化に有利、物理的・化学的にも安定・広い導電性の制御幅（大きなバンドギャップ：4.8eV）
