新しいワイドギャップ半導体・・・酸化ガリウム単結晶

2015-0303-03

・新しいワイドギャップ半導体β-Ga2O3の提案と実証

・大気圧で融液成長ができる

　 － Siなど従来半導体と同じ育成の容易さ

　 －低コスト化に有利、物理的・化学的にも安定

・広い導電性の制御幅（大きなバンドギャップ：4.8eV）

・GaN、SiCを超える半導体材料への期待

・液成長法による大型単結晶の実現

・導電性の制御

　 -n型と高抵抗、p型用ドーパントの開発

・オーミック・ショットキー電極の開発

・LEDの基板への提案と実証

・酸化ガリウム基板として販売中（㈱タムラ製作所）

・可視光/紫外LED基板、パワーデバイス用基板

・高輝度LED、紫外センサー等の各種デバイス

島村清史客員教授 , ガルシアビジョラ (独立行政法人　物質・材料研究機構)

掲載日: 2015/03/03