金属電極上CNTフォレストのパターニング成長

2018-1026-03
研究者名
所属
専門分野
反応工学・プロセスシステム
キーワード

背景

◆ 従来のCNTフォレストは絶縁体上への成長がメインであった。金属電極上への成長においては、密度が低くなり小さいパターニングを作るのが難しいという問題があった。

シーズ概要

◆ 従来の微細化技術と組み合わせることで、導電性基板上にダイレクトに高密度CNTフォレストをパターニング成長させる技術の提供。

優位性

◆ 500℃以下のCVD法により金属電極上に高密度CNTを直接成長させることにより、CNTフォレストと下地金属間の低電気抵抗を実現。

資料

  • UVリソグラフィによる、高密度CNTフォレストのパターニング成長
  • 電子線描画による、高密度CNTフォレストのパターニング成長
掲載日: 2018/10/26