金属電極上CNTフォレストのパターニング成長
背景
◆ 従来のCNTフォレストは絶縁体上への成長がメインであった。金属電極上への成長においては、密度が低くなり小さいパターニングを作るのが難しいという問題があった。
シーズ概要
◆ 従来の微細化技術と組み合わせることで、導電性基板上にダイレクトに高密度CNTフォレストをパターニング成長させる技術の提供。
優位性
◆ 500℃以下のCVD法により金属電極上に高密度CNTを直接成長させることにより、CNTフォレストと下地金属間の低電気抵抗を実現。
掲載日:
2018/10/26