2012-0712-04
ナノ・材料
掲載日：2012/07/12
オールウエットULSI作製プロセス
逢坂 哲彌 特任研究教授 (当時)
本技術は，シリコン基板，low-k基板，ポリイミド基板上へのバリア層形成およびその後に続く銅配線を提供する．無電解めっき法を用いて成膜したバリア膜では，6nm厚さまでの薄膜化を確認している．また無電解めっき，あるいは電気めっきを用いての微細トレンチへの銅埋め込みおよび保護層形成に成功...
