半導体素子における新接合構造の開発
背景
◆ SiCパワーデバイス実装に対する高耐熱実装技術としてAgナノ粒子やCuナノ粒子による低温焼結接合が注目され、研究が進められている。
◆ Agナノ粒子やCuナノ粒子は腐食や酸化、コスト面に課題
◆ 焼結接合後のマイクロサイズ以上のボイドの発生
◆ 素子と基板との熱膨張係数(CTE)差での熱応力による接合信頼性の低下
◆ Agナノ粒子やCuナノ粒子は腐食や酸化、コスト面に課題
◆ 焼結接合後のマイクロサイズ以上のボイドの発生
◆ 素子と基板との熱膨張係数(CTE)差での熱応力による接合信頼性の低下
シーズ概要
◆ Alマイクロ粒子混合によるボイドの減少効果の検証
◆ Niナノ粒子/Alマイクロ粒子混合ペーストにより形成した接合構造の応力緩和効果の検証
◆ SiC-SBDを用いた高耐熱性評価
◆ Niナノ粒子/Alマイクロ粒子混合ペーストにより形成した接合構造の応力緩和効果の検証
◆ SiC-SBDを用いた高耐熱性評価
優位性
◆ 大気中におけるAlとの直接接合が可能
◆ 250℃以上における耐熱性を有する接合材料
◆ Alマイクロ粒子混合によるボイドの減少効果と応力緩和効果
◆ 250℃以上における耐熱性を有する接合材料
◆ Alマイクロ粒子混合によるボイドの減少効果と応力緩和効果
応用・展開
◆ HEV/EV
◆ 工業用モータのインバータ
◆ 新エネルギー分野
◆ 工業用モータのインバータ
◆ 新エネルギー分野
共同研究者
田中 康紀 助手 (当時)
掲載日:
2019/03/12