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ものづくり技術
掲載日：2015/11/03
2017-45897
2017-45897 多結晶ダイヤモンド上のパワーMOSFET（ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法）
川原田 洋 教授 (理工学術院 基幹理工学部)
◆多結晶ダイヤモンド（黒い）上にMOSFETを作製 ◆顕著な変調・良好なデバイス特性◆逆阻止耐圧1800Vを達成
