ダイヤモンド半導体を用いた高信頼性電力素子

2014-0122-05

・550℃の大気中でも導電性が確保され、絶縁性が向上した保護膜の製造方法

・表面を水素化したダイヤモンド基板上に２層の保護膜を形成することで実現

・優れた物性をもつダイヤモンド半導体のパワーデバイスのニーズは極めて高い

・しかし、ダイヤモンド半導体の表面は外部環境の影響を受けやすく、動作が不安定

・ダイヤモンド電界効果トランジスタ（FET)に必要なゲート絶縁性・耐環境性を原子層堆積（ALD）Al2O3技術にて達成

・高電圧、高周波電力素子実用化へ

・自動車などの高温度雰囲気下での半導体素子

・家電、自動車、工場などの電源用途の半導体素子

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posted: 2014/01/23