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1736
Manufacturing Technology
posted：2015/11/03
2017-45897
2017-45897 多結晶ダイヤモンド上のパワーMOSFET（ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法）
KAWARADA, Hiroshi Professor (Faculty of Science and Engineering School of Fundamental Science and Engineering)
◆多結晶ダイヤモンド（黒い）上にMOSFETを作製 ◆顕著な変調・良好なデバイス特性◆逆阻止耐圧1800Vを達成
