表題番号：2025C-744
日付：2026/04/03
研究課題エピタキシャル薄膜を用いたVHF帯環境発電用変圧素子の開発
| 研究者所属（当時） | 資格 | 氏名 | |
|---|---|---|---|
| （代表者） | 理工学術院 先進理工学部 | 教授 | 柳谷 隆彦 |
- 研究成果概要
本研究では汎用成膜装置で大面積均一成膜可能なサブギガ帯圧電昇圧素子を提案した．平行平板ＲＦマグネトロンスパッタ法を用いて、Ｐｔ／サファイア基板上のエピタキシャルＺｎＯ薄膜を用いた素子を作製した。Ｘ線回折法によりω走査ロッキングカーブの半値幅を測定した結果、１．４°の良好な結晶性を得た。ネットワークアナライザにより通過特性を評価した結果，０．６ＧＨｚ帯で約４倍の昇圧を実験的に得た．Ｍａｓｏｎの等価回路モデルより用いてシミュレーションした理論特性とも良い一致を示した．ＡｌドープＺｎＯ薄膜は格子定数がＺｎＯと近く，エピタキシャル多層成長の実現可能性の高い。これにより，汎用成膜装置で大面積均一成膜可能な昇圧比の高いトランスが期待できる．