表題番号:2025C-168 日付:2026/02/09
研究課題レーザー溶融結晶化GeSn細線を用いたレーザーダイオードの作製と評価
研究者所属(当時) 資格 氏名
(代表者) 理工学術院 大学院情報生産システム研究科 教授 志村 考功
研究成果概要
申請者は2024年4月に大阪大学を退職し、早稲田大学に着任した。本課題の予算は2022年~2024年で採択された科研費基盤Bの研究を引き続き早稲田大学で実施するための研究基盤作りと研究費の補完のために使用した。

第86回応用物理学会秋季学術講演会(2025年9月7日~10日、名城大学、愛知)で口頭発表1件、
2025 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) (September 15-18, 2025, Yokohama, Japan)でポスター発表1件、The 19th International Collaboration Symposium on Information, Production and Systems (ISIPS 2025) (November 27-28, Kitakyushu, Japan)で口頭発表1件の発表を行った。これらの内容をまとめ、Japanese Journal of Applied Physicsに論文発表を行った。

また、The 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X), the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025) (Kanagawa, Japan, Nov.10-13, 2025)で招待講演を行った。

本研究の成果を踏まえ2026年基盤Bおよびその発展形の研究として科研費挑戦的研究(萌芽)に応募を行った。また、財団等への研究費申請も行った。