本研究では、高強度パルスレーザ光をP型Ge半導体薄膜に集光照射することで、Geの価電子帯から多くの電子を励起し、伝導帯のバンド端に緩和してきた電子の集団振動（いわゆる光誘起プラズモン）を研究した。この光誘起プラズモンは非平衡電子系における物理現象であり、半導体材料自身の電子・フォノン構造と深く関係する。私は、超高速時間分解分光法を用いて、レーザ光で励起した電子がその励起準位からGeの伝導帯にあるGamma谷とL谷への緩和時間を精密計測した。さらに物理モデルを構築し、Gamma谷からL谷への谷間散乱時間も抽出した。以上の研究成果は、第84回日本応用物理学会・秋季学術講演会（23p-B204-8）にて発表し、現在論文投稿中である。