表題番号：2022Q-008 日付：2023/04/07
研究課題２次元ディラックノーダルライン物質の構造と電子状態および輸送特性の解明
研究者所属（当時） 資格 氏名
（代表者） 理工学術院 先進理工学部 准教授 高山　あかり
（連携研究者） 東京大学 助教 秋山了太
研究成果概要
本研究ではSi基板上のCu2Si単原子層を作製し，放射光のエネルギーおよび偏光を適切に設定したARPES実験を行った。その結果，Cu2Siにおいてノーダルラインを形成するのに重要となる電子バンドを実験で初めて観測した。また，Si基板上Cu2Siではノーダルラインが非占有状態側に位置することを明らかにした。さらに，極低温・強磁場下での電気伝導測定を行った結果，本試料は極低温で弱半局在的な振る舞いを示すことを観測した。この特異な輸送特性はCu2Siのノーダルライン型電子状態が関係していることを示唆している。また，構造解析の結果，Si基板上のCu2Siはバックリングをもつ構造であることがわかった。