表題番号：2022C-467 日付：2023/04/07
研究課題RF-MBE法を用いて低温成長したSiドープGaAsNの電気的特性に関する研究
研究者所属（当時） 資格 氏名
（代表者） 理工学術院 先進理工学部 助教 塚崎　貴司
（連携研究者） 先進理工学部 教授 牧本 俊樹
研究成果概要
分子線エピタキシー法を用いて低温で成長した高濃度Siドープn型GaAsNについて，成長後のアニール温度を変化させて，電子濃度および電子移動度の温度特性における窒素組成依存性を評価した。窒素組成の減少にともなって，GaAsNに固有である局在準位の状態密度が減少するために，SiドープGaAsNにおける電子の活性化エネルギーが相対的に増加した。また，電子移動度の温度特性より，窒素組成によらず，室温付近においてイオン化不純物散乱が支配的であった。これらの実験結果から，非常に低い窒素組成を含む低温成長SiドープGaAsNを高温でアニールすることによって，抵抗率の温度変化率が極大化することを明らかにした。