本課題ではトポロジカル絶縁体薄膜を分子線エピタキシー法により、高品質で薄膜形成が可能になる技術を探査するものである。これまでの技術によりサファイアナノファセット構造を有する基板にZnTeを成長初期核として基板の特定箇所に形成できることが明らかになっている。それまでの経緯によって得られた多くの試料をより詳細に解析し、初期核形成時のその場観察結果を系統的に分類し、特徴について解析を行ってきた。どのタイミングで成長温度を変化させるかで成長核の形成状態が大きく変わることを明らかにした。また、SnTe薄膜を作製する際の基板温度などの重要な条件に関する多くの知見を得た。