表題番号：2021C-528
日付：2022/03/23
研究課題異種材料界面の遷移領域に注目した界面熱抵抗発現機構の解明
| 研究者所属（当時） | 資格 | 氏名 | |
|---|---|---|---|
| （代表者） | 理工学術院 基幹理工学部 | 教授 | 渡邉 孝信 |
| （連携研究者） | 理工学術院 | 講師 | 富田基裕 |
| （連携研究者） | 理工学術院 | 博士後期課程３年 | CHUNG, Sylvia Yuk Yee |
| （連携研究者） | 理工学術院 | 博士後期課程１年 | Mahfuz Hasan |
| （連携研究者） | 理工学術院 | 修士課程２年 | 片山 和明 |
| （連携研究者） | 理工学術院 | 修士課程１年 | 柏崎 翼 |
| （連携研究者） | 理工学術院 | 修士課程１年 | 黒崎 天彩美 |
| （連携研究者） | 理工学術院 | 修士課程２年 | 滝澤 諄弥 |
| （連携研究者） | 理工学術院 | 修士課程１年 | 保科 拓海 |
| （連携研究者） | 理工学術院 | 修士課程１年 | 山中 湧司 |
| （連携研究者） | 総合研究機構 | 招聘研究員 | 詹 天卓 |
- 研究成果概要
半導体集積回路における熱マネジメント、マイクロサイズの微小熱電発電デバイス技術の基礎として、異種材料界面の遷移領域の熱抵抗を決定する要因を、ナノスケール構造分析手法と大規模分子動力学シミュレーションを用いて調査した。次世代配線材料として期待されているRuと層間絶縁膜の界面の熱抵抗が、窒素濃度の高いTiN膜やTaN膜を挿入することで顕著に低下することを明らかにした。また、SiGe混晶の分子動力学シミュレーションで、熱伝導に影響を与えると考えられている低エネルギー局在振動モードの起源を明らかにした。