表題番号:2021C-233 日付:2022/04/04
研究課題フェムト秒時間分解分光法による光ブリーチング現象の解明
研究者所属(当時) 資格 氏名
(代表者) 理工学術院 国際理工学センター(理工学術院) 准教授 賈 軍軍
(連携研究者) 産業総合技術研究所 主任研究員 八木貴志
(連携研究者) 早稲田大学 教授 牧本俊樹
研究成果概要
本研究では、高強度パルスレーザの照射による直接遷移型InN半導体の光ブリーチングのメカニズムを検討した。2021年度、産業総合技術研究所と共同で、波長の異なるフェムト秒時間分解ポンププローブ装置を開発し、直接遷移型InN半導体のブリーチング現象(ほぼ不透明→透明)を測定した。得られた実験データに基づいて、直接遷移型InNにおける光ブリーチング現象をモデル化し、レーザ照射による励起した電子の緩和時間と再結合時間を定量的に評価した。これらの結果は時間分解PL測定などで測定された結果と良好に一致した。本研究成果により、直接遷移型InN半導体は光通信ネットワークにおける超高速光スイッチの新規材料としての応用が期待される。