表題番号:2021C-208
日付:2022/06/06
研究課題バンドギャップを有する配位高分子の合成とその機能
研究者所属(当時) | 資格 | 氏名 | |
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(代表者) | 理工学術院 先進理工学部 | 教授 | 山口 正 |
- 研究成果概要
酸化還元活性であり、キレート部位を3カ所有するテトラヒドロキシベンゾキノン(THQ)と各種金属イオン(Mn2+, Fe2+, Co2+, Ni2+, Cu2+, Zn2+)との組み合わせによる配位高分子(M-THQ)を合成した。粉末ペレット試料の電気伝導度は3×10-8〜1×10-6 Scm-1と低いながらも電気伝導性を示した。拡散反射スペクトル測定よりMn-THQおよびZn-THQのバンドギャップが約1.1 eV,Fe-THQ, Co-THQ, Ni-THQ, Fe-THQのバンドギャップが0.7 eV以下であると推定された。また、THQの濃厚溶液のスピンコートにより得られるTHQ薄膜を金属イオンを含むエタノール溶液に浸漬させることでM-THQの薄膜が得られることがわかった。