表題番号：2021C-146 日付：2022/03/07
研究課題Er注入Siナノピラーを活用するSiフォトニクス
研究者所属（当時） 資格 氏名
（代表者） 理工学術院 基幹理工学部 教授 谷井　孝至
研究成果概要
これまでに、220 nm厚のSOI基板上のナノピラーにErとOを共添加すると、発光強度が最大で約20倍増大されることを見出している。一方、同ナノピラーからはEr由来でない近赤外発光の存在も確認されている。本研究では、Er由来でない近赤外発光の抑制およびErとOの共添加条件と発光強度の関係性の解明を研究目的とし、①Oイオン注入②Erイオン注入③ドライエッチングのいずれか、または、その複合によりSi結晶内部に欠陥が生じて、Er由来でない近赤外発光が生じると仮定した。コロナ感染症予防の観点から、ナノピラー中にErと酸素を共注入する実験装置の利用を研究期間に確保することができなかったため、これについては今後の継続課題とした。