同じ動作周波数の薄膜共振子において、n層の分極反転多層構造の膜厚はn倍となり、耐電圧性を向上できると考えられる。基板をターゲットに対して斜めに配置することで、スパッタされた粒子を基板に対して斜めに入射させて、c軸傾斜したScAlN膜を成長させた。c軸ジグザグ構造は、各層の成膜後に基板を180度回転させることによって得た。4層c軸ジグザグ構造ScAlN薄膜を用いた基板なし(FBAR型)圧電共振子についてネットワークアナライザを用いてSパラメータ測定を行い、４次モードの共振特性を確認した。Masonの等価回路モデルによる計算結果ともよく一致した。