表題番号:2020C-294 日付:2021/04/08
研究課題サファイア基板上のZnTe成長初期過程の評価
研究者所属(当時) 資格 氏名
(代表者) 理工学術院 先進理工学部 教授 小林 正和
研究成果概要
テラヘルツ波検出のためZnTeに注目しておりr面とS面が周期的かつ連続的に並ぶナノファセット構造を持つサファイア基板上ZnTe薄膜の作製を行っている。単一ドメインZnTe薄膜成長のためにナノファセットS面上にZnTe成長核の選択形成を行う必要がある。しかし17.66°の傾斜角をS面方向へつけることによりS面の表面積が小さくなるためZnTe成長核の選択形成は困難であった。SEM解析の結果,RHEEDによるその場観察を行いrナノファセット面からの脱離を確認した後にZn照射を始めることによって多くのZnTeバッファ層をSナノファセット面上に残すことができ,それによりZnTe成長核のS面選択形成が可能となることが明らかとなった