表題番号：2019R-087
日付：2020/04/02
研究課題ランダム欠陥を取り入れた超巨大構造としての二次元物質解析
| 研究者所属（当時） | 資格 | 氏名 | |
|---|---|---|---|
| （代表者） | 理工学術院 先進理工学部 | 講師 | 高山 あかり |
| （連携研究者） | 鳥取大学 | 准教授 | 星健夫 |
| （連携研究者） | 早稲田大学 | 大学院生 | 辻川夕貴 |
- 研究成果概要
本研究では⽋陥を持つグラフェンの正確な物性理解と評価のため，以下の研究を行った。
(i)⽋陥を含むグラフェンの作成：脱離法によりSiC基板上に作成したグラフェンを初期構造とし、Arスパッタリングによる物理的破壊によりグラフェンへ欠損を導入した。
(ii)物性測定：Arスパッタリングの印加電圧依存性(0, 0.2, 1.0 kV)をSTMおよび電気伝導測定を用いて調べた。STM測定の結果、グラフェンのテラスの概形は1.0 kVでのスパッタリング後も観測された。また、電気伝導測定の結果、0.2 kVでのスパッタリングではグラフェンの電気抵抗値の変化は少なく、1.0 kVでグラフェンからの伝導度がなくなることがわかった。
今後、この試料について構造解析を行う予定である。