ReRAMはアナログ抵抗値を記憶できるデバイスで、人工ニューラルネットワーク（ANN）を小型・低消費電力化するのに最適の不揮発性メモリデバイスである。抵抗値をANNの重みとみなす場合、負の重みを実現するためには従来、正のクロスバ・アレー（CBA）と負のCBAのダブルCBA（DCBA）構造を用いていた。正のCBAから流れ出る電流から負のCBAから流れ出る電流を引き算回路で差し引くことによって対応するReRAM抵抗対の大小関係によって正と負の重みを実現していた。我々は、このような構造に比べてほぼ半分のサイズ、消費電流になるシングルCBA（SCBA）方式を提案し、推論の精度が同等であることを示すことができた、この方式をReRAMデバイスとCMOS回路で設計した。