ダイオードとIGBTを同一チップに内蔵して、順方向と逆方向に電流を流せるReverse conducting IGBT は ①snap backによる電流の不連続、不均一な変化の抑制、②内蔵ダイオードの逆回復特性の改良、③IGBTのturn off 特性の改善による消費電力ロスの抑制、などの課題が有り、課題解決には裏面構造、裏面の高濃度N型領域とP型領域のレイアウト、表面側ダイオードの構造、レイアウトと動作への影響を明確に解析することが重要である。このため、プロセス・デバイスシミュレーションと回路シミュレーションを組み合わせたmixed mode の数値解析により、内部動作機構を解析し、構造設計の方法を明らかにした。