表題番号：2019C-270 日付：2020/02/19
研究課題熱処理によるサファイア基板表面形状の制御と薄膜成長に与える影響の評価
研究者所属（当時） 資格 氏名
（代表者） 理工学術院 先進理工学部 教授 小林　正和
研究成果概要
ｍ面サファイア基板上に分子線エピタキシー法で高品質ZnTe薄膜の作製に取り組んできた。1200~1500℃の高温で基板を大気中に放置することでナノファセットと呼ばれるｒ面とS面の周期構造が形成可能なことが明らかになった。ｒ面とS面で核形成から成長初期の状態までの間が大きく異なること、特に成長温度によって大きな影響を受けることを明らかにした。特に温度が高くなるにつれてｒ面上に堆積が減少してくることを明らかにした。さらに成長初期に高温で原料の交互供給をすることが高品質の薄膜作製に重要なことであると明らかにした。実際に成長初期核をS面上に選択的に形成することが可能になったことで極めて配向性の高いZnTe薄膜が得られた。