表題番号：2019C-248 日付：2020/02/20
研究課題半導体量子構造による円偏光の高偏極長スピン寿命電子への変換
研究者所属（当時） 資格 氏名
（代表者） 理工学術院 先進理工学部 教授 竹内　淳
研究成果概要
半導体スピントロニクスデバイスとしてスピントランジスタやアンプが提案され世界中で研究が進展している。本研究は、円偏光励起によって高いスピン偏極率を実現する半導体量子構造と、光励起された高スピン偏極電子を長いスピン寿命を維持したまま流す半導体量子構造を組み合わせることによって、これまで不可能だった“高スピン偏極で長スピン寿命のスピン偏極電子”への変換の実現を目的とする。この実現には各種の化合物半導体でのスピン緩和時間の情報が極めて重要である。本研究では同一のGaAs基板上に成長させた3種類の井戸幅のGaAs/AlGaAs量子井戸のスピン緩和時間を調べた。