表題番号:2018S-127 日付:2019/03/26
研究課題全反射高速陽電子回折を用いたノーダルライン半金属Cu2Siの構造解析
研究者所属(当時) 資格 氏名
(代表者) 理工学術院 先進理工学部 講師 高山 あかり
研究成果概要
本研究は、ノーダルライン半金属の可能性が示唆されているCu/Si(111)の構造を詳細に決定するため、全反射⾼速陽電⼦回折(TRHEPD)法による鏡⾯反射スポット強度の視射⾓依存性について実験およびシミュレーションを用いて構造解析を行った。先行研究において提案されている3種類の銅シリサイド構造について、Si基板との距離やバックリング度合いを変化させた様々な構造モデルを構築し、その理論曲線を実際の測定結果と⽐較した結果、バックリングのない構造において、Cu2SiおよびCuSi2のロッキング曲線が実験結果と⽐較的近い曲線を⽰すことを⾒出した。このことは以上の成果は学位論文(学士)として提出・受理され、4月に学会発表を予定している。