表題番号：2018K-282
日付：2019/04/07
研究課題高速負イオン発生抑制成膜による希土類添加AIN薄膜の巨大圧電性発現
| 研究者所属（当時） | 資格 | 氏名 | |
|---|---|---|---|
| （代表者） | 理工学術院 先進理工学部 | 准教授 | 柳谷 隆彦 |
| （連携研究者） | 理工学術院 | Ｍ２ | 唐澤嶺 |
| （連携研究者） | 理工学術院 | Ｍ２ | 遠藤結佳 |
| （連携研究者） | 理工学術院 | Ｍ２ | 清水貴博 |
| （連携研究者） | 理工学術院 | Ｍ２ | 正宗千明 |
| （連携研究者） | 理工学術院 | Ｍ２ | 松田有佳 |
- 研究成果概要
- 本研究では，製法及び不純物含有量の異なるScAl合金ターゲットを用意し，スパッタ成膜時に発生する負イオン照射量及びScAlN薄膜の圧電性へ及ぼす影響を比較した．アーク溶融ターゲット，焼結ターゲット，電子ビーム溶融ターゲットの3種類のScAl合金ターゲットについてスパッタ成膜中の酸素負イオンO-及び窒化炭素負イオンCN-の発生量を計測した．ScAlN薄膜共振子を作製し，電気機械結合係数kt2を推定した結果，アーク溶融ターゲットで20.6%，焼結ターゲットで20.1%，電子ビーム溶融ターゲットで20.3%と，いずれのターゲットを用いても共に先行研究(kt2=18.5%)よりも高い圧電性を示したが，3種類のターゲットに大きな差は見られなかった．