表題番号：2018K-252 日付：2019/02/27
研究課題円偏光励起による高偏極長スピン寿命半導体量子構造電子注入源
研究者所属（当時） 資格 氏名
（代表者） 理工学術院 先進理工学部 教授 竹内　淳
研究成果概要
半導体スピントロニクスデバイスとしてスピントランジスタやアンプが提案され世界中で研究が進展している。本研究は、円偏光励起によって高いスピン偏極率を実現する半導体量子構造と、光励起された高スピン偏極電子を長いスピン寿命を維持したまま流す半導体量子構造を組み合わせることによって、これまで存在しなかった“高スピン偏極で長スピン寿命のスピン偏極電子注入源”の実現を目的とする。この実現には各種の化合物半導体でのスピン緩和時間の情報が極めて重要である。InPは小さな有効質量と高い電子移動度を持つ代表的な化合物半導体であることから、本研究では、ZnドープInPバルクのスピン緩和時間を調べた。