表題番号:2018K-214 日付:2019/03/31
研究課題シリコンフォトニクスのための単一Er注入Siデバイスの開発
研究者所属(当時) 資格 氏名
(代表者) 理工学術院 基幹理工学部 教授 谷井 孝至
研究成果概要
シングルイオン注入法を用いて少数のエルビウム原子をシリコンPNダイオードまたはMOSトランジスタのアクティブ領域に注入し、エルビウムからの発光を電気的に制御できるデバイスを試作・評価することが本研究の目的である。このために20nm程度まで薄膜化したSOIウェハにPNダイオードとnチャネルMOSトランジスタとを、学内のクリーンルーム共有設備を利用して試作するプロセスを開発した。これにより、両デバイスのアクティブ領域からの発光が上方より観察できる構造をもつデバイスが試作されたが、エレクトロルミネセンス計測では十分な光量の発光が観察されず、熱処理中のエルビウムの外方拡散により試作デバイスのアクティブ領域に十分なエルビウム原子が残らなかった可能性が示唆された。