SiドープGaAsNとBeドープGaAsNに対して、フォトルミネッセンススペクトルの測定温度依存性を評価した。そして、アンドープGaAsNとは異なり、高濃度の不純物ドーピングを行ったGaAsNは、S-shape特性[1]を示さないことを明らかにした。また、S-shape特性を示さなくなる不純物濃度は、Si不純物よりもBe不純物の方が高いことがわかった。これらの実験結果は、高濃度ドーピングにより縮退半導体となったため、N組成の不均一性の影響が抑制されたことを示しているものと考えられる。 [1] Cheng Chen et al., J. Alloys and Compounds, 699, 297 (2017).