近接昇華法を用いてMo/quartz基板上にソース温度を変化させてCu2Te膜と二段階目のCuGaTe2膜の作製を行い、それぞれの膜厚に与える影響を探査した。また、1段階目のCu2Te中間層の膜厚を一定とし、2段階目のCu2TeとGa2Te3の混合粉末原料の重量を変化させることでCu-Ga-Te膜の形成相にどのような影響を与えるか探査した。ソース温度を上げて作製することにより、太陽電池応用に向けて必要な膜厚1μmのCuGaTe2の作製に成功した。また、二段階目のCu2TeとGa2Te3の混合粉末原料の重量を変化させることで堆積物のGa2Te3のモル分率が変化し、Cu-Ga-Te膜の形成相の種類や量が変化することが明らかとなった。