表題番号：2018B-191 日付：2019/03/26
研究課題原子層薄膜における歪みダイナミクス測定の新手法開発
研究者所属（当時） 資格 氏名
（代表者） 理工学術院 先進理工学部 講師 高山　あかり
（連携研究者） 東京大学 研究員 保原麗
研究成果概要
　本研究では「柔軟性の高いシート上」の「柔軟性の高いグラフェン」を基板として薄膜を作成し、東京大学において連携研究者とともに歪み物性測定を行った。SiC基板上に作成した２層グラフェンからカプトンテープを用いてグラフェンの剥離・転写し、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察した。この試料について電気伝導測定を行い、SiC基板上の２層グラフェンの抵抗値とおおよそ同じオーダーの抵抗値を観測した。グラファイトを用いて同様の実験を行った結果、SiC基板上のグラフェンと比べて転写率は高いものの様々な層数の薄片が混在し、層数制御は難しいことが確認できた。以上の結果は学位論文(学士)として提出・受理された。