単結晶ダイヤモンドなど高熱伝導度材料を基板に用いた、新方式の高出力微小熱電変換素子の創出に向け、予備的な検討を行った。基板の熱抵抗が熱電変換素子の出力に与える影響を有限要素法シミュレーションで詳しく解析し、基板全体の熱抵抗を抑制することが非常に有効であること、ただし基板表面に配置した熱電変換素子と基板材料の間には適度な厚さの低熱伝導率層が必要であることを明らかにした。また、単結晶ダイヤモンド基板の面内熱伝導率評価、および様々な異種材料界面の熱抵抗の評価実験に取り組み、現実的なデバイス動作解析に必要なパラメータを決定した。