表題番号：2017S-101 日付：2018/02/21
研究課題トポロジカルナノ磁気テクスチャを情報担体とする高性能磁気メモリ素子の基盤技術の開発
研究者所属（当時） 資格 氏名
（代表者） 理工学術院 先進理工学部 教授 望月　維人
研究成果概要
本研究課題では，近年，次世代磁気メモリ素子の情報担体として期待が集まっている「磁気スキルミオン」の動的応答現象を理論的に解明し，スキルミオン磁気メモリ素子実現のための基盤技術を理論的に設計することを目的とする。磁気スキルミオンが発現するキラル磁性体の微視的な数理モデルを構築し，有限温度における磁化の外場応答をシミュレーションするプログラムを完成させた。さらに，開発したコードを使い，従来は技術的に困難であると考えられていた数ナノメートルの極小スキルミオン構造を「磁場」によって書き込む技術を理論的に設計した。また，磁気スキルミオンと，そのドメイン構造の形成過程をシミュレーションにより明らかにした。