表題番号：2017K-247 日付：2018/03/26
研究課題二段階近接昇華法による高品質カルコパイライト薄膜の光学的特性解析
研究者所属（当時） 資格 氏名
（代表者） 理工学術院 先進理工学部 教授 小林　正和
研究成果概要
2段階近接昇華法を用いることで高品質テルル系カルコパイライト薄膜の作製が可能になってきた。様々な条件によってシリコン基板上に作製されたAgGaTe2の光学的特性を極低温フォトルミネッセンス（PL）法によって評価した。PLスペクトルから1.02 eV付近と1.32 eV付近に2つのピークが観測された。詳細解析の結果1.32 eV付近の発光は自由励起子由来の発光であった。状態図をもとに薄膜内の結晶について検討を行ったところ、AgGa5Te8を含むAgGaTe2薄膜においては自由励起子由来の発光がつよく確認されるがAg2Teを含むと自由励起子由来の発光が消光することが明らかになった。