表題番号:2017K-230 日付:2018/03/05
研究課題円偏光励起による高偏極長スピン寿命半導体ナノ量子構造電子注入源
研究者所属(当時) 資格 氏名
(代表者) 理工学術院 先進理工学部 教授 竹内 淳
研究成果概要

III-V族化合物半導体を用いたスピントロニクス応用としてスピン偏極電子源に半導体ナノ量子構造を用いる研究が進んでいる。本研究は、円偏光励起によって高いスピン偏極率の電子を生成する「高スピン偏極量子構造」と、生成された高スピン偏極電子を高いスピン偏極率を維持したまま電界下で移動させる「超長スピン寿命量子構造」からなる高スピン偏極電子注入源を実現することが目的である。この応用では各種の構造でのスピン緩和時間の情報が極めて重要だが、本研究では、GaInNAs量子井戸とInGaAs量子井戸、それにBeドープのInGaAsPバルクやFeドープのInPバルクのスピン緩和時間などを調べた。