表題番号：2017K-218
日付：2018/04/06
研究課題結晶シリコンのエピタキシャル成長における反応解析
| 研究者所属（当時） | 資格 | 氏名 | |
|---|---|---|---|
| （代表者） | 理工学術院 創造理工学部 | 教授 | 国吉 ニルソン |
| （連携研究者） | 地球・環境資源理工学専攻 | 修士課程1年次生 | 藤村祥貴 |
| （連携研究者） | 地球・環境資源理工学専攻 | 修士課程1年次生 | 萩野翔 |
| （連携研究者） | 環境資源工学科 | 学部4年次生 | 豊嶋龍樹 |
| （連携研究者） | 地球・環境資源理工学専攻 | 教授 | 山口勉功 |
- 研究成果概要
- シリコン結晶の表面成長の機構を解明するために以前から研究を行っており，結晶表面をモデル化するために原子クラスターを用いてきた．2017年度では，クラスターが H 原子に被覆 (H-passivation) されている場合の吸着反応の機構を調べた．並行に並んだ3個の表面ダイマーを含み，H 原子に被覆された P3H6 クラスターに SiCl2 分子が吸着されるが，H 原子に被覆されていないクラスターの場合と比べて活性化エネルギーが大きかった．この活性化エネルギー増加によって SiCl2 が H 原子に被覆されたクラスターから脱着しにくくなり，H-passivation が結晶成長を後押しすることがわかった．