量子通信用の単一光子源の実現を目指して、単結晶ダイヤモンド中に単一カラーセンタを形成するためのプロセス開発を行った。IIa結晶中にSiイオン注入によりSiVセンタを、また、窒素を多量に含むIb基板にNiを打ち込むことでNE8センタを作製できる条件を探索した。Ni打ち込みではNi由来のホトルミネッセンス（波長783nm）が計測されたが、NE8由来の発光ではなかった。一方、Si打ち込みでは単一SiVセンタの形成（波長738nm）を確認できた。20keVから18MeVまでのエネルギー範囲において打ち込みSi原子数 に対するSiV生成収率がエネルギーによらず一定であることを見出した。